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性能特点
采用CSTBTTM硅片技术饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著改善
应用领域
适合中、低端变频器产品设计封装尺寸
 |  |  |  |
| 94mm × 48mm | 108mm × 62mm | 110mm × 80mm | 140mm × 130mm |
IGBT Modules (A series)
| 电路拓扑 | VCES(V) | Ic(A) | |||||||
| 75 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | ||
| 2单元 | 1200 | CM100DY -24A (97KB) | CM150DY -24A (98KB) | CM200DY -24A (97KB) | CM300DY -24A (100KB) | CM400DY -24A (98KB) | CM600DY -24A (99KB) | ||
| 1700 | CM75DY -34A (438KB) | CM100DY -34A (438KB) | CM150DY -34A (503KB) | CM200DY -34A (509KB) | CM300DY -34A (502KB) | CM400DY -34A (526KB) | |||
| 1单元 | 1200 | CM400HA -24A (471KB) | CM600HA -24A (479KB) CM600HB -24A | ||||||
| 1700 | CM500HA -34A (306KB) | | |||||||
